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参数资料
| 型号： | TIP102 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| 中文描述： | 互补硅功率达林顿晶体管（互补硅功率达林顿晶体管） |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | TIP102 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.56
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
for
TIP100/TIP105
for
TIP106
for
TIP102/TIP107
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
50
50
50
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
TIP100/TIP105
for
TIP106
for
TIP102/TIP107
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
50
50
50
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
* Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
EB
= -5 V
8
mA
I
C
= 30 mA
for
TIP100/TIP105
for TIP106
for TIP102/TIP107
60
80
100
V
V
V
V
CE(sat)
*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 3 A
I
C
= 8 A
I
B
= 6 mA
I
B
= 80 mA
2
2.5
V
V
V
BE
*
Base-Emitter Voltage
I
C
= 8 A
V
CE
= 4 V
2.8
V
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 3 A
I
C
= 8 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
1000
200
20000
V
F
*
Forward Voltage of
Commutation Diode
(I
B
= 0)
I
F
= - I
C
= 10 A
2.8
V
* For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingArea
TIP100/TIP102/TIP105/TIP106/TIP107
2/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP100 | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| TIP105 | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| TIP106 | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| TIP131 | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| TIP137 | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIP102 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington NPN Transistor 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220 |
| TIP102_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| TIP102-BP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 8A 80W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP102G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| TIP102G-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
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