参数资料
型号: TIP102
厂商: 意法半导体
英文描述: Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管)
中文描述: 互补硅功率达林顿晶体管(互补硅功率达林顿晶体管)
文件页数: 3/4页
文件大小: 44K
代理商: TIP102
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
4.40
1.23
2.40
MAX.
4.60
1.32
2.72
MIN.
0.173
0.048
0.094
MAX.
0.181
0.051
0.107
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
1.27
0.050
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.027
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0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
16.4
0.645
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
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0.137
0.147
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
TIP100/TIP102/TIP105/TIP106/TIP107
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PDF描述
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参数描述
TIP102 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington NPN Transistor 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220
TIP102_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP102-BP 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 8A 80W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP102G 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
TIP102G-TN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR