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参数资料
| 型号： | TMS29LF040-80C5DBWE |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 80 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
| 文件页数： | 9/38页 |
| 文件大小： | 495K |
| 代理商： | TMS29LF040-80C5DBWE |
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TMS29LF040, TMS29VF040
524288 BY 8-BIT
FLASH MEMORIES
SMJS825D – SEPTEMBER 1995 – REVISED JUNE 1998
17
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
timing requirements controlled by E (see Figure 5)
ALTERNATE
SYMBOL
’29LF040-80
’29LF040-90
’29LF040-10
’29VF040-10
UNIT
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
tAVAV
Cycle time, write
tc(W)
80
90
100
ns
tEHEH1
Cycle time, programming
operation
20
s
tEHEH2
Cycle time, sector-erase
operation (see Note 9)
2
30
2
30
2
30
s
tEHEH3
Cycle time, chip-erase
operation (see Note 10)
14
120
14
120
14
120
s
tELAX
Hold time, address
th(A)
45
ns
tEHDX
Hold time, data
th(D)
0
ns
tEHWH
Hold time, W
th(W)
0
ns
tELEH
Pulse duration, E low
tw(EL)
35
45
ns
tEHEL
Pulse duration, E high
tw(EH)
20
ns
tGHEL
Recovery time, read
before write
trec(R)
0
ns
tAVEL
Setup time, address
tsu(A)
0
ns
tDVEH
Setup time, data
tsu(D)
35
45
ns
tWLEL
Setup time, W
tsu(W)
0
ns
ALTERNATE
SYMBOL
’29LF040-12
’29VF040-12
’29LF040-15
’29VF040-15
UNIT
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
tAVAV
Cycle time, write
tc(W)
120
150
ns
tEHEH1
Cycle time, programming operation
20
s
tEHEH2
Cycle time, sector-erase operation (see Note 9)
2
30
2
30
s
tEHEH3
Cycle time, chip-erase operation (see Note 10)
14
120
14
120
s
tELAX
Hold time, address
th(A)
50
ns
tEHDX
Hold time, data
th(D)
0
ns
tEHWH
Hold time, W
th(W)
0
ns
tELEH
Pulse duration, E low
tw(EL)
50
ns
tEHEL
Pulse duration, E high
tw(EH)
20
ns
tGHEL
Recovery time, read before write
trec(R)
0
ns
tAVEL
Setup time, address
tsu(A)
0
ns
tDVEH
Setup time, data
tsu(D)
50
ns
tWLEL
Setup time, W
tsu(W)
0
ns
NOTES:
9. Timing diagram of E-controlled sector-erase operation not enclosed.
10. Timing diagram of E-controlled chip-erase operation not enclosed.
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