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参数资料
| 型号： | TT8K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8K2DKR |
TT8K2
l Dimensions (Unit : mm)
Data Sheet
TSST8
D
A
c
e
b
x
S A
S
y S
b3
b2
e
Pattern of terminal position areas
[Not a recommended pattern of soldering pads]
DIM
A
A1
b
c
D
E
e
H E
L
L1
Lp
Lp1
MILIMETERS
MIN MAX
0.75 0.85
0.00 0.05
0.22 0.42
0.12 0.22
2.90 3.10
1.50 1.70
0.65
1.80 2.00
0.05 0.25
0.05 0.25
0.15 0.34
0.15 0.34
MIN
0.030
0.000
0.009
0.005
0.114
0.059
0.071
0.002
0.002
0.006
0.006
INCHES
0.026
MAX
0.033
0.002
0.017
0.009
0.122
0.067
0.079
0.010
0.010
0.013
0.013
x
y
-
-
0.10
0.10
-
-
0.004
0.004
DIM
MILIMETERS
MIN MAX
MIN
INCHES
MAX
b2
e1
l1
l2
-
-
-
1.46
0.52
0.44
0.44
-
-
-
0.057
0.020
0.017
0.017
Dimension in mm / inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT8M2TR | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
| U5151-000005-030PA | SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2' |
| UB01KW035C-CC | INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch + Pch MOSFET |
| TT8M11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Pch MOSFET |
| TT8M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET |
| TT8M2_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET |
| TT8M2TR | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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