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参数资料
| 型号： | TT8K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8K2DKR |
TT8K2
l Electrical characteristic curves
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
Fig.18 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
Data Sheet
1000
V GS = 2.5V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
T a = 25oC
f = 1MHz
V GS = 0V
C iss
100
100
C rss
C oss
10
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
100
Drain Current : I D [A]
Fig.19 Switching Characteristics
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
1000
100
t f
t d(off)
T a =25oC
V DD = 15V
V GS = 4.5V
R G =10 W
Pulsed
5
4
T a =25oC
V DD = 15V
I D = 2.5A
R G =10 W
Pulsed
3
10
t r
t d(on)
2
1
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
Drain Current : I D [A]
Total Gate Charge : Q g [nC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
8/11
2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT8M2TR | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
| U5151-000005-030PA | SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2' |
| UB01KW035C-CC | INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch + Pch MOSFET |
| TT8M11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Pch MOSFET |
| TT8M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET |
| TT8M2_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET |
| TT8M2TR | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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