参数资料
| 型号： | UESD3.3ST5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT 3.3V SOD-723 |
| 产品变化通告： | Specification Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008 Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 系列： | uESD |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5V |
| 功率（瓦特）： | 113W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-723 |
| 供应商设备封装： | SOD-723 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
m ESD3.3ST5G SERIES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
I
Symbol
I PP
V C
V RWM
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I F
I R
V BR
I T
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
V C V BR V RWM
I R V F
I T
V
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
P pk
C
Peak Power Dissipation
Max. Capacitance @V R = 0 and f = 1 MHz
I PP
Uni-Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted, V F = 1.1 V Max. @ I F = 10 mA for all types)
Device
V RWM (V)
I R ( m A) @
V RWM
V BR (V) @ I T
(Note 2)
I T
V C (V)
@ Max I PP ?
I PP (A) ?
P pk
(W) ?
C (pF)
Device*
m ESD3.3ST5G
m ESD5.0ST5G
m ESD12ST5G
Marking
E0
E2
E3
Max
3.3
5.0
12
Max
2.5
1.0
1.0
Min
5.0
6.2
13.5
mA
1.0
1.0
1.0
Max
10.9
13.3
23.7
Max
10.4
8.8
5.4
Max
113
117
128
Typ
80
65
30
*Other voltages available upon request.
?Surge current waveform per Figure 1.
2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ° C.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
t r
t P
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
0
0
20
40
60
80
t, TIME ( m s)
Figure 1. 8 x 20 m s Pulse Waveform
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PPTC041LGBN-RC | CONN FEMALE 4POS .100" R/A TIN |
| UESD12ST5G | DIODE ESD PROTECT 12V SOD-723 |
| NPPC021KFXC-RC | CONN FEMALE 2POS .1" SMD GOLD |
| NPTC021KFXC-RC | CONN FEMALE 2POS .1" SMD TIN |
| SMF12AT3G | IC TVS ZENER 200W 12V SOD123FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UESD5.0DT5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESD5.0ST5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESD6.0DT5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESDXXDT5G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ESD Protection Diodes |
| UESP04D | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE: 200V CURRENT: 4.0A |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。