参数资料
型号: UESD3.3ST5G
厂商: ON Semiconductor
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描述: DIODE ESD PROTECT 3.3V SOD-723
产品变化通告: Specification Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008
Product Discontinuation 04/April/2008
标准包装: 8,000
系列: uESD
电压 - 反向隔离(标准值): 3.3V
电压 - 击穿: 5V
功率(瓦特): 113W
电极标记: 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-723
供应商设备封装: SOD-723
包装: 带卷 (TR)
m ESD3.3ST5G SERIES
TYPICAL CHARACTERISTICS
7.4
7.3
7.2
20
18
16
7.1
7.0
6.9
6.8
6.7
m ESDxxST5G
14
12
10
8
6.6
6.5
6.4
6
4
2
m ESDxxST5G
6.3
- 55
+ 25
+ 150
0
-55
+ 25
+ 150
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
Figure 4. Positive 8 kV contact per IEC 6100-4-2
- m ESD5.0ST5G
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Typical Leakage Current
versus Temperature
Figure 5. Negative 8 kV contact per IEC 61000-4-2
- m ESD5.0ST5G
http://onsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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UESD5.0ST5G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
UESD6.0DT5G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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