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参数资料
| 型号： | UHF20FCT-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE 20A 300V 25NS DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
New Product
UHF20FCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89064
Revision: 13-May-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
TA
= 125 °C
TA
= 175 °C
TA
= 25 °C
TA
= 150 °C
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V
)
J
u
nction Capacitance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vstg
= 50 m
Vp-p
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.1
1
10
0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
0.001 0.01
Junction to Case
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.028
(0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
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参数描述 |
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