- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录116 > UMN10NTR (Rohm Semiconductor)DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-363 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UMN10NTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 343K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-363 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMD6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
UMN10N
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Small mold type. (UMD6)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Pd mW200
Tj °C150
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Reverse recovery time
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Storage temperature
Power dissipation
Junction temperature
Average rectified forward current (single)
Surge current (t=1us)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward current repetitive peak (Single)
300
Reverse voltage (repetitive peak)
80
UMD6
0.35
0.9
1.6
0.650.65
2.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.1±0.1
2.45±0.1
2.4±0.1
5.5±0.2
1.15±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0～0.5
ROHM : UMD6
JEDEC : SOT-363
JEITA : SC-88
dot (year week factory)
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.25±0.1
0.05
Each lead has same dimension各リードとも
同寸法
(5)
(6)
(4)
1.3±0.1
0.65
0.65
(1) (3)(2)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7
0.1Min
0～0.1
1/2
2011.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UMN11NTN | DIODE SW 80V 100MA SOT-363 TR |
| UMN1NTR | DIODE SWITCH 80V 25MA SOT-353 |
| UMN20NTR | DIODE SWITCH 80V 0.1A UMD6 |
| UMP11NTN | DIODE SW 80V 100MA SOT-363 TR |
| UMP1NTR | DIODE SWITCH 80V 25MA SOT-353 TR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UMN11 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:COMMON CATHODE DIODE ARRAY|SO |
| UMN11N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UM6 2 COMMON CATHODE 300*/150 mW 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UM6 2 COMMON CATHODE 300*/150 mW - free partial T/R at 500. |
| UMN11NTN | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SW 80V 100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| UMN1N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UMD5 4 COMMON CATHODE 150/80 mW - free partial T/R at 500. |
| UMN1NTR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 80V 25MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。