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参数资料
| 型号： | UMN10NTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 343K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-363 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMD6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
UMN10N
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
0.1 1 10 100TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
ELECTROSTATIC
DDISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 1020304050607080
Ta=125℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=150℃
900
910
920
930
940
950
AVE:921.7mV
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
VR=80V
n=30pcs
AVE:9.655nA
0
5
10
15
20
AVE:3.50A
8.3ms
Ifsm
1cyc
AVE:1.93ns
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
0
1
2
3
4
5
110100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
1
10
100
t
Ifsm
1
10
100
1000
Rth(j-c)
Rth(j-a)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C=100pF
R=1.5kΩ
C=200pF
R=0Ω
AVE:0.97kV
AVE:2.54kV
0.1
1
10
0 5 10 15 20
f=1MHz
1ms
IM=1mA IF=50mA
300us
time
Mounted on epoxy board
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
AVE:1.081pF
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
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2011.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UMN11NTN | DIODE SW 80V 100MA SOT-363 TR |
| UMN1NTR | DIODE SWITCH 80V 25MA SOT-353 |
| UMN20NTR | DIODE SWITCH 80V 0.1A UMD6 |
| UMP11NTN | DIODE SW 80V 100MA SOT-363 TR |
| UMP1NTR | DIODE SWITCH 80V 25MA SOT-353 TR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UMN11 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:COMMON CATHODE DIODE ARRAY|SO |
| UMN11N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UM6 2 COMMON CATHODE 300*/150 mW 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UM6 2 COMMON CATHODE 300*/150 mW - free partial T/R at 500. |
| UMN11NTN | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SW 80V 100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| UMN1N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UMD5 4 COMMON CATHODE 150/80 mW - free partial T/R at 500. |
| UMN1NTR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 80V 25MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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