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参数资料
| 型号： | ULQ2003ATDRQ1 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 11/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 达林顿晶体管矩阵 |
| 驱动器/接收器数： | 7/0 |
| 电源电压： | 6 V ~ 15 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1010 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-14395-6 |
www.ti.com
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
at 25°C free-air temperature (unless otherwise noted)
MIN
MAX
UNIT
VCC
Collector-emitter voltage
50
V
Clamp diode reverse voltage(2)
50
V
VI
Input voltage(2)
30
V
Peak collector current
See Figure 14
500
mA
IOK
Output clamp current
500
mA
Total emitter-terminal current
–2.5
A
See Dissipation
PD
Continuous total power dissipation
Ratings Table
ULQ200xAT
–40
105
TA
Operating free-air temperature range
°C
ULQ200xAQ
–40
125
D package
73
qJA
Package thermal impedance(3) (4)
°C/W
PW package
108
Tstg
Storage temperature range
–65
150
°C
(1)
Stresses beyond those listed under "absolute maximum ratings" may cause permanent damage to the device. These are stress ratings
only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under "recommended operating
conditions" is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
(2)
All voltage values are with respect to the emitter/substrate terminal E, unless otherwise noted.
(3)
Maximum power dissipation is a function of TJ(max), qJA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient
temperature is PD = (TJ(max) – TA)/qJA. Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability.
(4)
The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.
DISSIPATION RATINGS
DERATING
TA = 25°C
FACTOR
TA = 85°C
TA = 105°C
TA = 125°C
PACKAGE
POWER
ABOVE
POWER RATING
RATING
TA = 25°C
D
950 mW
7.6 mW/°C
494 mW
342 mW
190 mW
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
3
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC16C56-HSE/P | IC MCU OTP 1KX12 18DIP |
| PIC16C56-10E/SS | IC MCU OTP 1KX12 20SSOP |
| PIC16C56-10E/SO | IC MCU OTP 1KX12 18SOIC |
| PIC16C56-10E/P | IC MCU OTP 1KX12 18DIP |
| PIC16C55T-XT/SS | IC MCU OTP 512X12 28SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ULQ2003ATDRRB | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATDRYZ | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATPWRQ1 | 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003D1 | 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003D1013TR | 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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