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参数资料
| 型号： | ULQ2003ATDRQ1 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 14/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 达林顿晶体管矩阵 |
| 驱动器/接收器数： | 7/0 |
| 电源电压： | 6 V ~ 15 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1010 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-14395-6 |
90%
90%
1.5 V
10%
40 s
≤10 ns
≤5 ns
VIH
(see Note C)
0 V
VOH
VOL
Input
Output
VOLTAGE WAVEFORMS
200 W
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
www.ti.com
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION (continued)
A.
The pulse generator has the following characteristics: PRR = 12.5 kHz, ZO = 50 .
B.
CL includes probe and jig capacitance.
C.
For testing the ULQ2003A, VIH = 3 V; for the ULQ2004A, VIH = 8 V.
Figure 10. Latch-Up Test Circuit and Voltage Waveforms
6
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC16C56-HSE/P | IC MCU OTP 1KX12 18DIP |
| PIC16C56-10E/SS | IC MCU OTP 1KX12 20SSOP |
| PIC16C56-10E/SO | IC MCU OTP 1KX12 18SOIC |
| PIC16C56-10E/P | IC MCU OTP 1KX12 18DIP |
| PIC16C55T-XT/SS | IC MCU OTP 512X12 28SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ULQ2003ATDRRB | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATDRYZ | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATPWRQ1 | 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003D1 | 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003D1013TR | 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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