参数资料
型号: ULQ2003ATDRQ1
厂商: Texas Instruments
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描述: IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC
标准包装: 1
类型: 达林顿晶体管矩阵
驱动器/接收器数: 7/0
电源电压: 6 V ~ 15 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 标准包装
产品目录页面: 1010 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 296-14395-6
Open
VCE
Open
ICEX
Open
VCE
VI
ICEX
Open
II(on)
VI
Open
VCE
IC
II(off)
Open
VCE
IC
II
hFE =
IC
II
Open
VCE
IC
VI(on)
IF
VF
Open
VR
Open
IR
www.ti.com
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Figure 1. ICEX Test Circuit
Figure 2. ICEX Test Circuit
Figure 3. II(off) Test Circuit
Figure 4. II Test Circuit
C.
II is fixed for measuring VCE(sat), variable for measuring hFE.
Figure 5. hFE, VCE(sat) Test Circuit
Figure 6. VI(on) Test Circuit
Figure 7. IR Test Circuit
Figure 8. VF Test Circuit
Figure 9. Propagation Delay-Time Waveforms
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
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Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
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PDF描述
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ULQ2003ATPWRQ1 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULQ2003D1 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULQ2003D1013TR 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel