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参数资料
| 型号： | ULQ2003ATDRQ1 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 达林顿晶体管矩阵 |
| 驱动器/接收器数： | 7/0 |
| 电源电压： | 6 V ~ 15 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1010 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-14395-6 |
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package
Type
Package
Drawing
Pins
SPQ
Reel
Diameter
(mm)
Reel
Width
W1 (mm)
A0
(mm)
B0
(mm)
K0
(mm)
P1
(mm)
W
(mm)
Pin1
Quadrant
ULQ2003AQDRQ1
SOIC
D
16
2500
330.0
16.4
6.5
10.3
2.1
8.0
16.0
Q1
ULQ2003ATPWRQ1
TSSOP
PW
16
2500
330.0
12.4
6.9
5.6
1.6
8.0
12.0
Q1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
13-Dec-2013
Pack Materials-Page 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PIC16C56-10E/SS | IC MCU OTP 1KX12 20SSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ULQ2003ATDRRB | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATDRYZ | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATPWRQ1 | 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003D1 | 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003D1013TR | 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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