参数资料
型号: UPA2550T1H-T2-AT
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 930pF @ 10V
功率 - 最大: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WSOF
供应商设备封装: 8-VSOF
包装: 带卷 (TR)

DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA2550
DUAL P-CHANNEL MOSFET
FOR SWITCHING
DESCRIPTION
The μ PA2550 is dual P-channel MOSFETs designed for power
management applications of portable equipments, such as load
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
2.9 ± 0.1
switch.
8
0.65
5
A
0.17 ± 0.05
Dual P-channel MOSFETs are assembled in one package, to
contribute minimize the equipments.
FEATURES
0 to 0.025
? 1.8 V drive available
? Low on-state resistance
R DS(on)1 = 40 m Ω MAX. (V GS = ? 4.5 V, I D = ? 2.5 A)
R DS(on)2 = 60 m Ω MAX. (V GS = ? 2.5 V, I D = ? 2.5 A)
R DS(on)3 = 93 m Ω MAX. (V GS = ? 1.8 V, I D = ? 2.5 A)
? Built-in gate protection diode
0.32 ± 0.05
S
1
4
0.05 M S A
1: Source1
2: Gate1
3: Source2
4: Gate2
5, 6: Drain2
7, 8: Drain1
? Small and surface mount package (8-pin VSOF (2429))
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
LEAD PLATING
PACKING
PACKAGE
μ PA2550T1H-T1-AT
μ PA2550T1H-T2-AT
Note
Note
Pure Sn
8 mm embossed taping
3000 p/reel
8-pin VSOF (2429)
Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode and other parts.)
Marking: 2550
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Document No. G19179EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published March 2008 NS
Printed in Japan
2008
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