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参数资料
| 型号： | UPA2550T1H-T2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2550
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
I D = ? 2.5 A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
V GS = 0 V
80
60
Pulsed
V GS = ? 1.8 V
f = 1.0 MHz
40
? 2.5 V
1000
C iss
20
0
? 4.5 V
100
C oss
C rss
-50
0
50
100
150
-0.1
-1
-10
-100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DD = ? 6 V
-4
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT CHARACTERISTICS
100
t f
V GS = ? 4 V
R G = 6 Ω
t d(off)
-3
-2
V DD = ? 9.6 V
? 6 V
? 2.8 V
t d(on)
10
-1
1
t r
0
I D = ? 5 A
-0.1
-1
-10
-100
0
2
4
6
8
10
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
-100
V GS = 0 V
Q G - Gate Charge - nC
-10
-1
-0.1
-0.01
-0.001
Pulsed
0
0.5
1
1.5
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
6
Data Sheet G19179EJ1V0DS
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PDF描述 |
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参数描述 |
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