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参数资料
| 型号： | UPA2550T1H-T2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2550
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
2.5
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on FR-4 board of
100
80
2
25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
2 units
1.5
60
1
40
20
0
0.5
0
1 unit
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
-100
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T A - Ambient Temperature - ° C
n)
DS
G
(V
it e
Lim . 5 V )
-10
R
(o
S
= ? 4
d
I D(pulse)
PW = 300 μ s
-1
-0.1
-0.01
I D(DC)
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
1 ms
10 ms
100 ms
5s
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
Single pulse, 1 unit
Mounted on FR-4 board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
4
Data Sheet G19179EJ1V0DS
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PDF描述 |
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参数描述 |
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