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参数资料
| 型号： | UPA2550T1H-T2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2550
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC)
V DSS
V GSS
I D(DC)
? 12
m 8
m 5.0
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
m 20
A
Total Power Dissipation (1 unit, 5 s)
Note2
P T1
1.5
W
Total Power Dissipation (2 units, 5 s)
Channel Temperature
Storage Temperature
Note2
P T2
T ch
T stg
2.2
150
? 55 to +150
W
° C
° C
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2. Mounted on FR-4 board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
EQUIVALENT CIRCUIT (1/2)
Drain
Body
Gate
Gate
Protection
Diode
Source
Diode
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
Caution This product is electrostatic-sensitive device due to low ESD capability and should be handled with
caution for electrostatic discharge.
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Data Sheet G19179EJ1V0DS
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PDF描述 |
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参数描述 |
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