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参数资料
| 型号： | UPA2590T1H-T2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.24W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2590
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
140
120
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
100
80
V GS = ? 4.5 V
C iss
60
40
20
0
? 10 V
I D = ? 2 A
Pulsed
100
10
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
C oss
C rss
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
100
V DD = ? 15 V
-25
-10
t f
t d(off)
V GS = ? 10 V
R G = 6 Ω
-20
V DD = ? 24 V
? 15 V
? 6 V
-8
-15
-6
10
t d(on)
-10
V GS
-4
1
t r
-5
0
V DS
I D = ? 4.5 A
-2
0
-0.1
-1
-10
-100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-100
-10
-1
-0.1
-0.01
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
-0.001
V GS = 0 V
Pulsed
-0.0001
0
0.5
1
1.5
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
10
Data Sheet G19217EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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