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参数资料
| 型号： | UPA2590T1H-T2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.24W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2590
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
N-channel MOSFET
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Cut-off Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
TEST CONDITIONS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V GS = ± 16 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
V DS = 10 V, I D = 2 A
MIN.
1.0
1
TYP.
MAX.
1
± 10
2.5
UNIT
μ A
μ A
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V, I D = 2 A
V GS = 4.5 V, I D = 2 A
V DS = 10 V,
V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DD = 15 V, I D = 2 A,
V GS = 10 V,
R G = 6 Ω
38
48
310
65
27
6
2.8
15
50
83
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
2.4
ns
Total Gate Charge
Q G
V DD = 24 V, V GS = 10 V,
I D = 4.5 A
6.6
nC
Body Diode Forward Voltage
Note
V F(S-D)
I F = 4.5 A, V GS = 0 V
0.9
V
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE
PG.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
10%
0
V GS
90%
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
V GS
0
I D
Wave Form
I D
0 10%
90%
I D
90%
10%
PG.
50 Ω
V DD
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Data Sheet G19217EJ1V0DS
3
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参数描述 |
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