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参数资料
| 型号： | UPA2757GR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2757GR
25
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS = 10 V
20
V GS = 10 V
10
Pulsed
1
15
10
5
4.5 V
0.1
0.01
0.001
T A = 150 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
Pulsed
0
0.0001
0
0.5
1
1.5
0
1
2
3
4
2.5
2
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
1
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.5
0.1
1
0.5
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
0.01
0.001
? 25 ° C
25°C
75 ° C
T A = 150 ° C
V DS = 10 V
Pulsed
-50
0
50
100
150
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
Pulsed
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
I D = 3.0 A
80
80
Pulsed
60
40
20
0
V GS = 4.5 V
10 V
60
40
20
0
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
Data Sheet G18206EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2790GR-E2-AT | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| UPA2791GR-E2-AT | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| UPA602T-T1-A | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
| UPA603T-T2-A | MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2761UGR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2761UGR-E1-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2761UGR-E2-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2762UGR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2762UGR-E1-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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