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参数资料
| 型号： | UPA2791GR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2791GR
-25
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
-100
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS = ? 10 V
-20
-15
-10
V GS = ? 10 V
? 4.5 V
-10
-1
-0.1
Pulsed
T A = 150 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
-0.01
-5
0
Pulsed
-0.001
-0.0001
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
-1
-2
-3
-4
-2.5
-2
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
1
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
-1.5
0.1
-1
-0.5
0
V DS = ? 10 V
I D = ? 1 mA
0.01
0.001
? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
T A = 150 ° C
V DS = ? 10 V
Pulsed
-50
0
50
100
150
-100 μ
-1 m
-10 m
-100 m
-1
-10
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
160
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = ? 4.5 V
? 10 V
Pulsed
140
120
100
80
60
40
20
0
I D = ? 3.0 A
Pulsed
-1
-10
-100
0
-5
-10
-15
-20
I D - Drain Current - A
Data Sheet G18207EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
9
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