- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录528 > UPA2791GR-E2-AT (Renesas Electronics America)MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UPA2791GR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2791GR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C. All terminals are connected.)
PARAMETER
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
SYMBOL
V DSS
V GSS
N-CHANNEL
30
± 20
P-CHANNEL
? 30
m 20
UNIT
V
V
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
Note2
I D(DC)
± 5
m 5
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
± 20
m 20
A
Total Power Dissipation (1 unit)
Note2
P T1
1.7
W
Total Power Dissipation (2 units)
Channel Temperature
Storage Temperature
Note2
P T2
T ch
T stg
2.0
150
? 55 to + 150
W
° C
° C
<R> Single Avalanche Current
<R> Single Avalanche Energy
Note3
Note3
I AS
E AS
5
2.5
? 5
A
mJ
2. Mounted on ceramic substrate of 2000 mm x 1.6 mmt
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2
<R>
2
3. Starting T ch = 25 ° C, V DD = 1/2 x V DSS , R G = 25 Ω , L = 100 μ H, V GS = V GSS → 0 V
Data Sheet G18207EJ2V0DS
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PDF描述 |
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参数描述 |
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