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参数资料
| 型号： | UPA2791GR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2791GR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
160
140
120
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
C iss
100
80
60
40
20
0
V GS = ? 4.5 V
? 10 V
I D = ? 3.0 A
Pulsed
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C oss
C rss
-50
0
50
100
150
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
100
-30
-12
10
t d(off)
t f
t r
-25
-20
-15
V DD = ? 24 V
? 15 V
? 6 V
-10
-8
-6
t d(on)
-10
V GS
-4
1
V DD = ? 15 V
V GS = ? 10 V
R G = 10 Ω
-5
0
V DS
I D = ? 5 A
-2
0
-0.1
-1
-10
-100
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
100
10
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1
V GS = ? 4.5 V
0V
10
0.1
0.01
0.001
Pulsed
1
V GS = 0 V
di/dt = 50 A/ μ s
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
I F - Diode Forward Current - A
10
Data Sheet G18207EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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