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参数资料
| 型号： | UPA2791GR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2791GR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
(1) N-channel
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
2.5
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
2000 mm x 1.6 mmt
100
80
2
1.5
2 units
1 unit
Mounted on ceramic
substrate of
2
60
1
40
20
0
0.5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T A - Ambient Temperature - ° C
PW
1 i 0
s
DC
it e
m ) Po
Li V w
i 0 er
on
1
=
is
S( D
R
si
S
p
(V
at
io
20
μ s
it e
s
10
1
0.1
I D(pulse)
I D(DC)
d
)
D
G
Mounted on ceramic substrate of
m
i
n
=
Li m
0
d
1 i 0
0
m
i
2000 mm 2 x 1.6 mmt, 1 unit
T A = 25 ° C
0.01
Single pulse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
R th(ch-A) = 73.5°C/W i
Mounted on ceramic substrate of 2000 mm 2 x 1.6 mmt, 1 unit
T A = 25 ° C
Single pulse
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m 1
PW - Pulse Width – s
10
100
1000
Data Sheet G18207EJ2V0DS
5
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PDF描述 |
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