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参数资料
| 型号： | UPA611TA-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 10mA，10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74-6，（迷你型） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA611TA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C)
CHARACTERISTICS
Drain Cut-off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
R DS(on)3
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
TEST CONDITIONS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
V DS = 3 V, I D = 10 μ A
V DS = 3 V, I D = 10 m A
V GS = 2.5 V, I D = 1 m A
V GS = 4 V, I D = 10 mA
V GS = 10 V, I D = 10 mA
V DS = 3 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 3 V
I D = 10 mA
V GS(on) = 4 V
R G = 10 Ω, R L = 300 Ω
MIN.
1.0
20
TYP.
1.4
8
4
3
9
12
2.1
40
55
68
64
MAX.
1
±10
1.8
15
8
5
UNIT
μ A
μ A
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
2
Data Sheet D11707EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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