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参数资料
| 型号： | UPA611TA-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 10mA，10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74-6，（迷你型） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA611TA
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
V GS = 10 V
I D = 1 mA
8
6
20
10 mA
100 mA
4
2
T A = 125 ?C
75 ?C
25 ?C
? 25 ?C
10
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current - A
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
<R>
SWITCHING CHARACTERISTICS
100
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C iss
C oss
1000
100
t r
1
C rss
V DD = 3 V
t f
t d(on)
t d(off)
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
V GS(on) = 4V
R G = 10 Ω
0.1
1
V DS - Drain to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1
0.1
0.01
0.001
I D - Drain Current - A
0.0001
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
4
Data Sheet D11707EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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