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参数资料
| 型号： | UPA650TT-E1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA650TT
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR SWITCHING
DESCRIPTION
The μ PA650TT is a switching device, which can be driven directly by a
1.8 V power source.
This device features a low on-state resistance and excellent switching
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
2.0±0.2
characteristics, and is suitable for applications such as power switch of
6
5
4
portable machine and so on.
0 ~ 0.05
FEATURES
?
1.8 V drive available
?
Low on-state resistance
1
2
3
R DS(on)1 = 50 m ? MAX. (V GS = ? 4.5 V, I D = ? 2.5 A)
R DS(on)2 = 68 m ? MAX. (V GS = ? 2.5 V, I D = ? 2.5 A)
0.65
0.65
MAX. 0.8
S
R DS(on)3 = 114 m ? MAX. (V GS = ? 1.8 V, I D = ? 1.5 A)
ORDERING INFORMATION
0.05 S
PART NUMBER
PACKAGE
μ PA650TT
Marking: WD
6pinWSOF (1620)
1,2,5,6 : Drain
3 : Gate
4 : Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
V DSS
? 12
V
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T A = 25°C)
V GSS
I D(DC)
m 8.0
m 5.0
V
A
? 0.05
0.2 +0.1
0.1 M S
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
m 20
A
EQUIVALENT CIRCUIT
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
P T1
0.2
W
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
Channel Temperature
Note2
P T2
T ch
1.4
150
W
°C
Drain
Storage Temperature
T stg
? 55 to +150
°C
Gate
Body
Diode
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
Gate
2. Mounted on FR-4 board, t ≤ 5 sec.
Protection
Diode
Source
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. G16202EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published May 2002 NS CP(K)
Printed in Japan
?
2002
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