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参数资料
| 型号： | UPA650TT-E1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA650TT
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
100
Pulsed
10
V GS = 0 V
1
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
6
Data Sheet G16202EJ1V0DS
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PDF描述 |
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