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参数资料
| 型号： | UPA650TT-E1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA650TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
? 15
Pulsed
? 100
V DS = ? 10 V
? 10
V GS = ? 4.5 V
? 10
? 1
Pulsed
T A = 125°C
75°C
25°C
? 25°C
? 0.1
? 2.5 V
? 5
? 1.8 V
? 0.01
? 0.001
0
0
? 0.1
? 1.5 V
? 0.2
? 0.3
? 0.4
? 0.5
? 0.0001
0
? 0.5
? 1
? 1.5
? 2
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
? 1
? 0.9
? 0.8
V DS = ? 10 V
I D = ? 1 mA
100
10
V DS = ? 10 V
Pulsed
T A = ? 25°C
25°C
? 0.7
? 0.6
? 0.5
? 0.4
1
0.1
T A = 75°C
125°C
-50
0
50
100
150
? 0.01
? 0.1
? 1
? 10
? 100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
140
120
V GS = ? 4.5 V
Pulsed
140
120
V GS = ? 2.5 V
Pulsed
T A = 125°C
100
80
60
40
20
T A = 125°C
75°C
25°C
? 25°C
100
80
60
40
20
75°C
25°C
? 25°C
0
? 0.01
? 0.1
? 1
? 10
? 100
0
? 0.01
? 0.1
? 1
? 10
? 100
4
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