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参数资料
| 型号： | UPA650TT-E1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA650TT
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
100
80
60
40
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
0.4
20
0.2
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T A - Ambient Temperature - ° C
? 100
R DS(on) Limited
(V GS = ? 4.5 V)
I D(pulse)
50 cm × 1.1 mm
? 10
? 1
? 0.1
? 0.01
I D(DC)
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
2
PW = 1 ms
10 ms
100 ms
5s
? 0.1
? 1
? 10
? 100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
50 cm 2 × 1.1 mm
100
10
1
1m
10 m
100 m 1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet G16202EJ1V0DS
3
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