- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录529 > UPA677TB-T2-A (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UPA677TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA677TB
ELECTRICAL CHARACTERISTIC S (T A = 25°C)
Forward Transfer Admittance
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Note
Drain to Source On-state Resistance Note
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
R DS(on)3
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
TEST CONDITIONS
V DS = 20.0 V, V GS = 0 V
V GS = ± 12.0 V, V DS = 0 V
V DS = 10.0 V, I D = 1.0 mA
V DS = 10.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.5 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 2.5 V, I D = 0.15 A
V DS = 10.0 V
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
V DD = 10.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.0 V
R G = 10 ?
MIN.
0.5
0.25
TYP.
1.0
0.75
0.38
0.41
0.60
28
11
7
20
51
94
MAX.
1.0
± 10
1.5
0.57
0.60
0.88
UNIT
μ A
μ A
V
S
?
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
87
ns
Body Diode Forward Voltage
Note
V F(S-D)
I F = 0.35 A, V GS = 0 V
0.84
V
Note Pulsed PW ≤ 350 μ s, Duty Cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
V GS
PG.
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
Wave Form
0
V DS
10%
90%
V GS
90%
90%
V DS
V GS
V DS
Wave Form
0
10%
10%
0
τ
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
2
Data Sheet G16598EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA678TB-T2-A | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
| UPA679TB-T2-A | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| UPB1007K-E1-A | IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN |
| UPB1008K-EVAL | EVAL BOARD FOR UPB1008K |
| UPB1009K-E1-A | IC GPS RECEIVER LP 44-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA678TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA678TB-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel |
| UPA678TB-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA679TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA679TB-T1-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。