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参数资料
| 型号： | UPA677TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA677TB
1000
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DD = 10 V
V G S = 4 .0 V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
10
V GS = 0 V
P u ls e d
R G = 10 ?
1
t d (o ff)
100
10
t f
t r
t d (o n )
0 .1
0 .0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16598EJ1V0DS
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA678TB-T2-A | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA678TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA678TB-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA679TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA679TB-T1-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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