- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录529 > UPA677TB-T2-A (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UPA677TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA677TB
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
0.24
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on FR-4 Board of
2500 mm x 1.1 mm
100
80
60
40
20
0
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
2
2units total
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1.4
1.2
Pulsed
T A - Ambient Temperature - ° C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V GS = 4.5 V
4.0 V
10
1
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS = 10 V
Pulsed
1
2.5 V
0.8
0.6
0.1
0.01
T A = 125°C
75°C
25°C
? 25°C
0.4
0.001
0.2
0
0.0001
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1.4
1.2
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V DS = 10 V
I D = 1.0 mA
10
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 25°C
1
0.8
0.6
1
0.1
25°C
75°C
125°C
0.4
0.01
- 50
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G16598EJ1V0DS
I D - Drain Current - A
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA678TB-T2-A | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
| UPA679TB-T2-A | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| UPB1007K-E1-A | IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN |
| UPB1008K-EVAL | EVAL BOARD FOR UPB1008K |
| UPB1009K-E1-A | IC GPS RECEIVER LP 44-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA678TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA678TB-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel |
| UPA678TB-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA679TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA679TB-T1-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。