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参数资料
| 型号： | UPA677TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA677TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
1.2
Pulsed
1
V GS = 2.5 V, I D = 0.15 A
0.8
0.6
0.4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1.2
I D = 0.30 A
Pulsed
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 4.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.5 V, I D = 0.30 A
0.2
0
- 50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.2
V GS = 4.5 V
Pulsed
1
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.2
V GS = 4.0 V
Pulsed
1
T A = 125°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T A = 125°C
75°C
25°C
? 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
75°C
25°C
? 25°C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1.2
1
V GS = 2.5 V
Pulsed
T A = 125°C
75°C
100
V GS = 0 V
f = 1 .0 M H z
C is s
0.8
0.6
0.4
25°C
10
C oss
C rs s
? 25°C
0.2
0
1
0.01
0.1
1
10
0 .1
1
10
100
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16598EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA678TB-T2-A | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA678TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA678TB-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel |
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| UPA679TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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