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参数资料
| 型号： | UPA678TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 29pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA678TB
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR SWITCHING
DESCRIPTION
The μ PA678TB is a switching device, which can be driven
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
0.2 - 0
0.15 - 0.05
directly by a 2.5 V power source.
The μ PA678TB features a low on-state resistance and excellent
switching characteristics, and is suitable for applications such as
+0.1
+0.1
power switch of portable machine and so on.
FEATURES
? 2.5 V drive available
? Low on-state resistance
R DS(on)1 = 1.45 ? MAX. (V GS = ? 4.5 V, I D = ? 0.20 A)
R DS(on)2 = 1.55 ? MAX. (V GS = ? 4.0 V, I D = ? 0.20 A)
R DS(on)3 = 2.98 ? MAX. (V GS = ? 2.5 V, I D = ? 0.15 A)
? Two MOS FET circuits in same size package as SC-70
6
1
5
2
0.65 0.65
1.3
2.0 ±0.2
4
3
0.7
0.9 ±0.1
0 to 0.1
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
μ PA678TB
Marking: XA
PACKAGE
SC-88 (SSP)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V) V DSS
? 20
V
PIN CONNECTION (Top View)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
V GSS
m 12
V
6
5
4
Drain Current (DC)
I D(DC)
m 0.25
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
m 1.00
A
Total Power Dissipation (2 units)
Channel Temperature
Storage Temperature
Note2
P T
T ch
T stg
0.2
150
–55 to +150
W
°C
°C
1.
2.
3.
4.
5.
Source 1
Gate 1
Drain 2
Source 2
Gate 2
6.
Drain 1
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
1
2
3
2. Mounted on FR-4 board of 2500 mm x 1.1 mm
2
Caution This product is electrostatic-sensitive device due to low ESD capability and
shoud be handled with caution for electrostatic discharge.
V ESD = ± 100 V TYP. (C = 200 pF, R = 0 ? , Single pulse)
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Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. G16607EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published February 2003 NS CP(K)
Printed in Japan
2003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA679TB-T2-A | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| UPB1007K-E1-A | IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN |
| UPB1008K-EVAL | EVAL BOARD FOR UPB1008K |
| UPB1009K-E1-A | IC GPS RECEIVER LP 44-QFN |
| UPB1507GV-E1-A | MMIC PRESCALER 3GHZ 8-SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA679TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA679TB-T1-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA679TB-T2-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA67C | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:微型打印机驱动程序的NPN硅外延达林顿晶体管阵列 |
| UPA75HA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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