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参数资料
| 型号： | UPA678TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 29pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA678TB
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
0.24
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on FR-4 Board of
2500 m m x 1.1 m m
100
80
60
40
20
0
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
2
2 units total
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
-1
T A - Ambient Temperature - ° C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
-10
V D S = ? 10 V
- 0.8
- 0.6
- 0.4
V G S = ? 4.5 V
? 4.0 V
-1
-0.1
-0.01
Pulsed
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
- 0.2
0
? 2.5 V
-0.001
-0.0001
? 25 ° C
0
- 0.4
- 0.8
- 1.2
- 1.6
-2
0
-1
-2
-3
-4
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs. CHANNEL
TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
- 1.6
V D S = ? 10 V
I D = ? 1.0 m A
10
V DS = ? 10 V
Pulsed
- 1.4
T A = ? 25 ° C
- 1.2
1
25 ° C
75 ° C
125 ° C
-1
0.1
- 0.8
- 0.6
0.01
-50
0
50
100
150
- 0.001
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G16607EJ1V0DS
I D - Drain Current - A
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA679TB-T2-A | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| UPA67C | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:微型打印机驱动程序的NPN硅外延达林顿晶体管阵列 |
| UPA75HA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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