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参数资料
| 型号： | UPA678TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 29pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA678TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
4
Pulsed
4
I D = ? 0.20 A
3
2
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 0.15 A
3
2
Pulsed
1
0
V GS = ? 4.0 V, I D = ? 0.20 A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 0.20 A
1
0
-50
0
50
100
150
0
-2
-4
-6
-8
- 10
- 12
T ch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
V GS = ? 4.5 V
4
V GS = ? 4.0 V
3
Pulsed
3
Pulsed
T A = 125 ° C
2
1
0
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25°C
2
1
0
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
T A = 125 ° C
100
I D - Drain Current - A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE
VOLTAGE
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
3
2
1
0
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
Pulsed
10
1
C iss
C oss
C rss
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 0.1
-1
- 10
- 100
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16607EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA679TB-T2-A | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| UPB1007K-E1-A | IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN |
| UPB1008K-EVAL | EVAL BOARD FOR UPB1008K |
| UPB1009K-E1-A | IC GPS RECEIVER LP 44-QFN |
| UPB1507GV-E1-A | MMIC PRESCALER 3GHZ 8-SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA679TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA679TB-T1-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA679TB-T2-A | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA67C | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:微型打印机驱动程序的NPN硅外延达林顿晶体管阵列 |
| UPA75HA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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