参数资料
型号: UPA678TB-T2-A
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.45 欧姆 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 29pF @ 10V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-88
包装: 带卷 (TR)
μ PA678TB
1000
100
10
SWITCHING CHARACTERISTICS
V D D = ? 10 V
V G S = ? 4.0 V
R G = 10 ?
t d(off)
t r
t f
t d(on)
10
1
0.1
0.01
0.001
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 0 V
Pulsed
-0.01
-0.1
-1
-10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16607EJ1V0DS
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
5
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PDF描述
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UPA679TB-T1-A 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
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