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参数资料
| 型号： | UPD44647186AF5-E22-FQ1 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 14/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量： | 72M（4M x 18） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44647094A-A, 44647184A-A, 44647364A-A, 44647096A-A, 44647186A-A, 44647366A-A
Byte Write Operation
[ μ PD44647094A-A], [ μ PD44647096A-A]
Operation
Write D0 to D8
Write nothing
K
L → H
–
L → H
–
K#
–
L → H
–
L → H
BW0#
0
0
1
1
Remarks 1. H : HIGH, L : LOW, → : rising edge.
2. Assumes a WRITE cycle was initiated. BW0# can be altered for any portion of the BURST WRITE
operation provided that the setup and hold requirements are satisfied.
[ μ PD44647184A-A], [ μ PD44647186A-A]
Operation
Write D0 to D17
Write D0 to D8
Write D9 to D17
Write nothing
K
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
K#
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
BW0#
0
0
0
0
1
1
1
1
BW1#
0
0
1
1
0
0
1
1
Remarks 1. H : HIGH, L : LOW, → : rising edge.
2. Assumes a WRITE cycle was initiated. BW0# and BW1# can be altered for any portion of the BURST
WRITE operation provided that the setup and hold requirements are satisfied.
[ μ PD44647364A-A], [ μ PD44647366A-A]
Operation
Write D0 to D35
Write D0 to D8
Write D9 to D17
Write D18 to D26
Write D27 to D35
Write nothing
K
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
K#
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
–
L → H
BW0#
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
BW1#
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
1
BW2#
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
BW3#
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
Remarks 1. H : HIGH, L : LOW, → : rising edge.
2. Assumes a WRITE cycle was initiated. BW0# to BW3# can be altered for any portion of the BURST
WRITE operation provided that the setup and hold requirements are satisfied.
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Data Sheet M19962EJ2V0DS
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