参数资料
型号: UPD44647186AF5-E22-FQ1
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 17/42页
文件大小: 0K
描述: SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步,QDR II+
存储容量: 72M(4M x 18)
速度: 450MHz
接口: 并联
电源电压: 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 165-LBGA
供应商设备封装: 165-PBGA(13x15)
包装: 散装
μ PD44647094A-A, 44647184A-A, 44647364A-A, 44647096A-A, 44647186A-A, 44647366A-A
DC Characteristics (T A = 0 to 70°C, V DD = 1.8 ± 0.1 V)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
MAX.
Unit
Note
x9
x18
x36
Input leakage current
I/O leakage current
I LI
I LO
–2
–2
+2
+2
μ A
μ A
4, 5
4
Operating supply current
(Read cycle / Write cycle)
I DD
V IN ≤ V IL or V IN ≥ V IH
I I/O = 0 mA
-E20
-E22
Note1
Note1
780
730
850
795
1000
925
mA
Cycle = MAX.
-E25
-E30
-E33
690
580
520
740
650
590
850
720
650
Standby supply current
(NOP)
I SB1
V IN ≤ V IL or V IN ≥ V IH
I I/O = 0 mA
-E20
-E22
Note1
Note1
460
440
480
455
530
500
mA
Cycle = MAX.
Inputs static
-E25
-E30
-E33
410
380
370
430
400
390
470
440
430
Output HIGH voltage
Output LOW voltage
V OH(Low) |I OH | ≤ 0.1 mA
V OH
Note2
V OL(Low) I OL ≤ 0.1 mA
V OL
Note3
V DD Q – 0.2
V DD Q/2–0.12
V SS
V DD Q/2–0.12
V DD Q
V DD Q/2+0.12
0.2
V DD Q/2+0.12
V
V
6, 7
6, 7
6, 7
6, 7
Notes 1. -E20 and -E22 are valid for 2.5 Clock Cycles Read Latency products.
2. Outputs are impedance-controlled. | I OH | = (V DD Q/2)/(RQ/5) ±15% for values of 175 ? ≤ RQ ≤ 350 ? .
3. Outputs are impedance-controlled. I OL = (V DD Q/2)/(RQ/5) ±15% for values of 175 ? ≤ RQ ≤ 350 ? .
4. Measured with ODT off.
5. ODT pin is internally tied to V SS , so input leakage current value is ±5 μ A.
6. AC load current is higher than the shown DC values.
7. HSTL outputs meet JEDEC HSTL Class I standards.
Capacitance (T A = 25 ° C, f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance (Address, Control)
Input / Output capacitance
Symbol
C IN
C I/O
Test conditions
V IN = 0 V
V I/O = 0 V
MIN.
MAX.
4
5
Unit
pF
pF
(D, Q, CQ, CQ#, QVLD)
Clock Input capacitance
C clk
V clk = 0 V
4
pF
Remark These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
Data Sheet M19962EJ2V0DS
15
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