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参数资料
| 型号： | US5U1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US5U1DKR |
US5U1
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U1
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Schottky barrier diode
Dimensions (Unit : mm)
TUMT5
2.0
1.3
Features
1) Nch MOSFET and schottky barrier diode
are put in TUMT5 package.
2) High-speed switching, Low On-resistance.
3) Low voltage drive (2.5V drive).
4) Built-in Low V F schottky barrier diode.
Applications
Switching
Package specifications
Inner circuit
Abbreviated symbol : U01
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
(4)
US5U1
? 2
? 1
(1)Gate
(2)Source
(1) (2)
(3)
(3)Anode
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(4)Cathode
(5)Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.5
± 6.0
0.75
6.0
A
A
A
A
Power dissipation
Channel temperature
P D
Tch
? 2
0.7
150
W / ELEMENT
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
<Di>
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
Symbol
V RM
V R
I F
Limits
30
20
0.5
Unit
V
V
A
Forward current surge peak
Power dissipation
Junction temperature
I FSM
P D
Tj
? 1
? 2
2.0
0.5
150
A
W / ELEMENT
° C
? 1 60Hz 1cycle
? 2 Mounted on ceramic board
Rev.B
1/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US5U2TR | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 |
| US5U30TR | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 |
| US5U35TR | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 |
| US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| US5U3TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US5U2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+SBD MOSFET |
| US5U29 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| US5U29_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| US5U29TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U2TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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