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参数资料
| 型号： | US5U1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US5U1DKR |
US5U1
Transistors
Electrical characteristics curves
1000
100
tf
Ta=25 ° C
V DD =15V
V GS =4.5V
R G =10 ?
Pulsed
6
Ta=25 ° C
V DD =15V
5 I D =1.5A
R G =10 ?
Pulsed
4
10
1
Ta=125 ° C
75 ° C
V DS =10V
Pulsed
25 ° C
10
td(off)
td(on)
3
2
0.1
? 25 ° C
0.01
tr
1
1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.1 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.2 Dynamic Input Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
1.0
0.9
Ta=25 ° C
Pulsed
10
V GS =0V
Pulsed
10
V GS =4.5V
Pulsed
0.8
0.7
0.6
1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
0.5
0.4
0.3
0.1
? 25 ° C
1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
0.01
0.1
1
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.5 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.6 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
10
V GS =4.0V
10
V GS =2.5V
10
Ta=25 ° C
Pulsed
Pulsed
Pulsed
1
Ta=125 ° C
1
Ta=125 ° C
1
0.1
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
V GS =2.5V
V GS =4V
V GS =4.5V
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
Rev.B
3/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US5U2TR | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 |
| US5U30TR | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 |
| US5U35TR | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 |
| US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| US5U3TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US5U2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+SBD MOSFET |
| US5U29 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| US5U29_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| US5U29TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U2TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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