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参数资料
| 型号： | US5U1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US5U1DKR |
US5U1
Transistors
<MOSFET and Di>
Parameter
Total power dissipation
Range of storage temperature
Symbol
P D ? 1
Tstg
Limits
1.0
? 55 to + 150
Unit
W / TOTAL
° C
? 1 Mounted on a ceramic board
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
10
Unit
μ A
Conditions
V GS =12V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
0.5
?
?
?
?
?
170
180
240
1
1.5
240
250
340
μ A
V
m ?
m ?
m ?
V DS = 30V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1.5A, V GS = 4.5V
I D = 1.5A, V GS = 4V
I D = 1.5A, V GS = 2.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
1.5
?
?
?
?
?
?
?
?
80
14
12
7
9
15
6
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, I D = 1.5A
V DS = 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 15V
I D = 0.75A
V GS = 4.5V
R L = 20 ?
R G =10 ?
Total gate charge
Q g
?
?
1.6
2.2
nC
V DD
15V, V GS = 4.5V
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs
Q gd
?
?
?
?
0.5
0.3
?
?
nC
nC
I D = 1.5A
R L = 10 ?, R G = 10 ?
? Pulsed
<Body diode characteristics (Source-drain)>
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 0.75A, V GS =0V
<Di>
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
?
Typ.
?
?
?
Max.
0.36
0.47
100
Unit
V
V
μ A
I S = 0.1A
I S = 0.5A
I S = 20V
Conditions
Rev.B
2/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US5U2TR | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 |
| US5U30TR | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 |
| US5U35TR | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 |
| US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| US5U3TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US5U2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+SBD MOSFET |
| US5U29 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| US5U29_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| US5U29TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U2TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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