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参数资料
| 型号： | US6K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US6K2DKR |
US6K2
Transistors
Electrical characteristics curves
1000
Ta=25 ° C
f=1MHz
1000
Ta=25 ° C
V DD =15V
10
Ta=25 ° C
9 V DD =15V
100
V GS =0V
100
tf
V GS =10V
R G =10 ?
Pulsed
I D =1.4A
8 R G =10 ?
Pulsed
7
Ciss
td(off)
6
5
4
10
Coss
Crss
10
td(on)
3
2
tr
1
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
V DS =10V
Pulsed
1000
900
Ta=25 ° C
Pulsed
10
V GS =0V
Pulsed
1
0.1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
800
700
600
500
I D =0.7A
I D =1.4A
1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
400
0.01
300
200
100
0.1
0.001
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10000
V GS =10V
10000
V GS =4.5V
10000
V GS =4V
Pulsed
Pulsed
Pulsed
1000
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1000
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1000
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
10
100
10
100
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
Rev.B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6K4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch+Nch MOSFET |
| US6K4TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6KB80-7000 | 功能描述:整流器 6.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| US6KB80R | 功能描述:桥式整流器 Diode-Bridge Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| US6KB80R-7000 | 功能描述:桥式整流器 6.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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