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参数资料
| 型号： | V20100C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 154K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 790mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 800µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V20100C-E3/4W-ND V20100C-E3/4WGI |
V20100C, VF20100C, VB20100C, VI20100C
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 14-Aug-13
2
Document Number: 88977
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ?
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 -
Maximum Forward Current Derating Curve
Fig. 2 -
Forward Power Loss Characteristics
Per Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Breakdown voltage
IR
= 10 mA T
A
= 25 °C V
BR
105 (minimum) - V
Instantaneous forward voltage ?
per diode
IF
= 5 A
TA
= 25 °C
VF
(1)
0.55 -
V
IF
= 10 A
0.65 0.79
IF
= 5 A
TA
= 125 °C
0.50 -
IF
= 10 A
0.58 0.68
Reverse current per diode
VR
= 70 V
TA
= 25 °C
IR
(2)
= 25 °C - 800
17 - μA
TA
= 125 °C
5.3 - mA
VR
= 100 V
TA
μA
TA
= 125 °C 12 25
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL V20100C VF20100C VB20100C VI20100C
UNIT
Typical thermal resistance per diode
R?JC
2.8 5.5 2.8 2.8 °C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB V20100C-E3/4W 1.881 4W 50/tube Tube
ITO-220AB VF20100C-E3/4W 1.75 4W 50/tube Tube
TO-263AB VB20100C-E3/4W 1.39 4W 50/tube Tube
TO-263AB VB20100C-E3/8W 1.39 8W 800/reel Tape and reel
TO-262AA VI20100C-E3/4W 1.452 4W 50/tube Tube
Case Temperature (°C)
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
24
20
16
12
8
4
0
0
25 50 75 100 125 150 175
V20100C
VI(B)20100C
Resistive or Inductive Load
VF20100C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
048
12 16 20 24
D = 0.1D = 1.0
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5D = 0.8
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
D = tp/T tp
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V20100CHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,100V,TRENCH SKY RECT. |
| V20100C-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,100V,DUAL TRENCH SKY RECT. |
| V20100R | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
| V20100R-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V20100S | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A |
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