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参数资料
| 型号： | V20100C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 154K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 790mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 800µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V20100C-E3/4W-ND V20100C-E3/4WGI |
V20100C, VF20100C, VB20100C, VI20100C
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 14-Aug-13
3
Document Number: 88977
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Fig. 3 -
Typical Instantaneous Forward Characteristics
Per Diode
Fig. 4 -
Typical Reverse Characteristics
Per Diode
Fig. 5 -
Typical Junction Capacitance
Per Diode
Fig. 6 -
Typical Transient Thermal Impedance
Per Diode
Fig. 7 -
Typical Transient Thermal Impedance
Per Diode
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4 1.6
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
10
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
V(B,I)20100C
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
VF20100C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V30100C-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO220-3 |
| V30100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 15A TO3PW |
| V30150C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO220AB |
| V40100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 20A TO3PW |
| V50100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 25A TO3PW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V20100CHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,100V,TRENCH SKY RECT. |
| V20100C-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,100V,DUAL TRENCH SKY RECT. |
| V20100R | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
| V20100R-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V20100S | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A |
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