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参数资料
| 型号： | V54C3128164VBC7PC |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | MO-210, FBGA-54 |
| 文件页数： | 15/56页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | V54C3128164VBC7PC |
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V54C3128(16/80/40)4VB Rev.1.5 March 2006
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB
1. Bank Activate Command Cycle
(CAS latency = 3)
2. Burst Read Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
ADDRESS
CLK
T0
T
T1
T
TTT
COMMAND
NOP
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
Write A
with Auto
Bank A
Col. Addr.
. . . . . . . . . .
Bank B
Activate
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
tRCD
: “H” or “L”
tRC
Precharge
tRRD
Bank B
Row Addr.
COMMAND
READ A
NOP
DOUT A0
CAS latency = 2
t
CK3, I/O’s
CAS latency = 3
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
t
CK2, I/O’s
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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