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参数资料
| 型号： | V54C3256404VDT7 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 14/56页 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | V54C3256404VDT7 |
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21
V54C3256(16/80/40)4VD Rev. 1.9 August 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3256(16/80/40)4VD
Timing Diagrams (Cont’d)
15. Random Column Read ( Page within same Bank)
15.1 CAS Latency = 2
15.2 CAS Latency = 3
16. Random Column Write ( Page within same Bank)
16.1 CAS Latency = 2
16.2 CAS Latency = 3
17. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
17.1 CAS Latency = 2
17.2 CAS Latency = 3
18. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Precharge Termination of a Burst
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Burst Operation
20.1 Full Page Burst Read, CAS Latency = 2
20.2 Full Page Burst Read, CAS Latency = 3
21. Full Page Burst Operation
21.1 Full Page Burst Write, CAS Latency = 2
21.2 Full Page Burst Write, CAS Latency = 3
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