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参数资料
| 型号： | V54C3256404VDT7 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 26/56页 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | V54C3256404VDT7 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
32
V54C3256(16/80/40)4VD Rev. 1.9 August 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3256(16/80/40)4VD
\
1
.
Power
on
Sequence
and
Auto
Refr
esh
(CBR)
CLK
CKE
CS
I/O
RAS
CAS
WE
BS
DQM
Hi-Z
AP
Addr
Precharge
Command
All
Banks
t RP
Minimum
of
2
Refresh
Cycles
are
required
1st
Auto
Refresh
Command
t RC
High
level
is
required
2nd
Auto
Refresh
Command
Inputs
must
be
stable
for
200us
Any
Command
2
Clock
min.
Mode
Register
Address
Key
Set
Command
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PDF描述 |
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